带隙基准电路设计仿真/自己备忘
电路结构如图所示，放大器采用二级米勒补偿运算放大器https://blog.csdn.net/Czy1377004611/article/details/118551567?spm=1001.2014.3001.5501
所用工艺为1830工艺
基本原理是PTAT电流产生电路的PTAT电流在电阻R2上的压降与三极管Q3的BE结电压叠加形成VREF。
1.确定工作电流和R1
搭建如图仿真电路图，设置idc=i，ADE窗口选择Variables-copy from cellview，如图仿真。
结果如图所示，选择工作电压20uA，可得▲VBE=813.609-756.953mV。
R1=▲VBE/20uA=2.83kΩ。
2.计算温度参数与R2
如图，测量i=20u下Q2的BE电压与温度的函数。
如图得到
由公式
计算得到R2=8.965K
3.选择pmos宽长比
选择pmos宽长比统一为480n/1.3u，注意放大器正负极不能接反，否则无法钳位。
根据仿真结果微调，调节R2=17.5kΩ，仿真结果如下：
可见输出电压在-40℃-100℃漂移大概为0.002v
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