DRAM

一、

  • 存储密度高

  • 集成度高

  • 引脚少
    -在这里插入图片描述

  • 功耗小

  • 价格低

  • 速度慢

  • 用作主存储器

  • 电容

  • 刷新:读出的过程破坏了电容上的存储信息,所以要把信息重新写入

二、逻辑结构

  • 行选通信号RAS非:行地址锁存器
  • 列选通信号CAS非:列地址锁存器
    在这里插入图片描述

三、刷新操作

  • 刷新计数器(刷新行地址发生器)
  • 将一行存储元同时刷新
  • 集中式刷新策略:前一段时间进行正常的读写操作;后一段时间作为集中刷新操作时间(存在死时间)
  • 分散式刷新策略


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