VASP学习之结构优化OPT计算

一、所需文件简单介绍

VAPS所需四个文件POSCAR、POTCAR、KPOINTS、INCAR。

1.POSCAR

结构文件，一般由Materials Studio软件和VESTA生成。

2.POTCAR

赝势文件，可利用cat命令生成，也可利用vaspkit程序直接生成（需要编译设置）这里不详述。

3.KPOINTS

k点路径文件，可以利用vaspkit程序生成，也可查看文件自行设置，这里不详述。

4.INCAR

参数设置文件，根据计算不同体系内容进行更改。
这里介绍的是结构优化OPT的INCAR设置内容：

SYSTEM=opt		#名字，随意设置
ISTART=1   		#默认为 1，如有波函数WAVECAR则读取，无则不读，0为直接不读
ICHARG=1 		#决定如何构建初始电荷密度，同上，DOS和BS计算时应设置为 11
ENCUT=500		#截断能，建议进行截断能测试，也可根据文献设置
IBRION=2		#决定离子的更新和移动，结构粗糙用 2，结构精度较高用 1
ISIF=2			#2为优化结构，不优化晶胞；3为同时优化晶胞和结构
NSW=40			#最大离子步数，即优化过程中计算的最大步数
NELM=80			#最大电子步数，即每一离子步中计算的最大步数
NELMIN=4		#具体见vasp手册
NELMDL=-12		#收敛遇到问题时可以尝试更改，具体见vasp手册
ISPIN=2			#是否加自旋计算，1为不加，2为加EDIFF=1E-5		#电子步收敛精度
EDIFFG=-0.01	#离子步收敛精度ISMEAR=0		#决定每个轨道的部分占据状态，0为Gaussian smearing，根据半导体和导体体系更改
SIGMA=0.05		#指定smearing范围#优化计算速度
ALGO=Fast
LREAL=Auto
NCORE=4
PREC=Accurate#控制结果输出
LELF= .F.		#控制输出ELFCAR
LAECHG=.F. 		#控制输出AECCARO
LCHARG=.F. 		#控制输出CHGCAR and CHG
LWAVE =.F. 		#控制输出WAVECAR

部分代码如上，具体参数请参考vasp手册，这里只是提供建议值。
大部分注释是换成了比较通俗易懂的，可能不太准确，欢迎大家批评指正！

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