12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65
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12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65
型号：12N65
品牌：ASEMI
封装：TO-220
最大漏源电流：12A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：0.68Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的12N65 MOS管
ASEMI品牌12N65是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了12N65的最大漏源电流12A，漏源击穿电压650V.
•细节体现差距
12N65,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
12N65具体参数为：最大漏源电流：12A，漏源击穿电压：650V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220
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