蚀刻损率和均匀性的研究

引言

本研究的目的是开发和应用一个数值模型来帮助设计和操作CDE工具，为此，我们编制了第一个已知的NF3/02气体的等离子体动力学模型，通过与实验蚀刻速率数据的比较，实现了模型验证。此外，该模型通过改变总流量、压力、等离子体功率、氧流量和输运管直径来确定CDE系统的可运行特性，蚀刻速率和不均匀性与各种输入和计算参数的相关性突出了系统压力、流量和原子氟浓度对系统性能的重要性。

我们组装了一个化学反应流模型，以包括每个CDE组分中重要的化学和物理现象(图1)，即等离子体源、输送管、淋浴器头、工艺室，CDE模型从一个组件到下一个组件连续地跟踪气体流动，每个组件模型的输出作为下一个模型的输入，该模型在每个组分中都包含了重要的物理和化学苯元素，中间结果包括等离子体源施加器的侵蚀率和通过输送管和工艺室的气相浓度。

图1

对蚀刻速率和不均匀性的测量结果验证了完整的CDE模型，表面化学被包括用来解释表面蚀刻剂和带电物种的损失，在源区，采用化学轰击和离子轰击的石英蚀刻，以及表面重组和电荷交换，通过淋浴头和工艺床的流动在化学上比通过等离子体源和输送管更简单。

等离子体功率沉积是电子能量方程的一个源项，它导致了等离子体中的电离和解离水平。气体温度是由对外部环境的热损失和从中性的

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