2020-06-02 模电 笔记

2020-06-02 模电 笔记

一 常见-模电符号-中英文全称

缩写全称中文
物理量符号 Vvoltage电压(单位:V伏特 volt)
物理量符号 Rresistance电阻(单位:Ω欧姆 )
物理量符号 IElectron flow(Current)电流(单位:A安培 ampere)
"P"型半导体positive hole空穴型半导体
"N"型半导体Negative电子型半导体
VDdiode二极管
VddVoltage Drain Drain正电源输入、电源电压
VTtriode三极管
UZ稳定电压
UDPositive guide voltage正向导通电压(硅管0.7V,锗管0.3V)
UREFReference voltage基准电压
集电极 ccollector集电极
发射极 eemitter发射极
基极 bbase基极


二 模电基础知识点

视频资料: B站 清华 华成英 模拟电子技术基础  https://www.bilibili.com/video/BV19s411a7KL

1 PN结 (p-n junction)

1.1 PN结的形成

由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子, 形成内电场, 从而阻止扩散运动的进行. 内电场使空穴从N区向P区 , 自由电子从P区向N区运动, 又叫作漂移运动.

TIM截图20200602085333.png

参与 扩散运动 和 漂移运动 的载流子数目相同, 达到动态平衡, 就形成了PN结. 


前置知识点:

  • 电荷之间的相互作用是通过电场发生的。只要有电荷存在,电荷的周围就存在着电场。电场的基本性质是它对放入其中的电荷有力的作用,这种力就叫做电场力。
  • 电场力方向: 正电荷沿电场线切线方向,负电荷沿电场线的切线方向的反方向。
  • 电场线由正电荷发射到负电荷, 与导体表面垂直, 等势面垂直。
  • P型半导体掺杂三价 硼(B), 本身不带电, 扩散运动后, 因为空穴被 带负电荷的电子 填补了, 所以带负电荷. 同理N型半导体带 正电荷. 所以, 电场力方向由N区向P区, 产生漂移运动, 阻碍扩散运动.
  • 载流子: 运载电荷的粒子成为载流子. 在这里指 空穴和电子.


1.2 PN结的单向导电性

TIM截图20200602091642.png

① P区连接直流电源正极, N区连接直流电源负极, 外电场削弱内电场, 耗尽层变窄, 扩散运动加剧, 形成扩散电流(电子的定向运动产生电流), PN结导通. (多数载流子运动)


TIM截图20200602091642.png

② N区连接直流电源正极, P区连接直流电源负极, 外电场和内电场一致, 耗尽层变宽, 加剧漂移运动, 阻止扩散运动. 由于电流很小(电子的定向运动产生电流)(少数载流子运动), 故可以近似认为其截止.



前置知识点:

  • 电路中的电场

导体中的电流是由电场决定,而此电场又是由分布于导体表面和内部的不均匀电荷所产生的。

理想导线中,既然电荷在运动,必定有纵向电场,根据U=Ed,该有电势差吧?没有!虽然有电场,但是最终的电场是垂直于导线表面,电势差U全部降在电阻上,因为电阻上有切向电场(因为导线和电阻连接处的电荷分布不同导致),如下图所示


本文来自互联网用户投稿,文章观点仅代表作者本人,不代表本站立场,不承担相关法律责任。如若转载,请注明出处。 如若内容造成侵权/违法违规/事实不符,请点击【内容举报】进行投诉反馈!

相关文章

立即
投稿

微信公众账号

微信扫一扫加关注

返回
顶部