敏感器件-磁敏器件

霍尔元件

​洛仑兹力（Lorentz force）作用，导致电荷偏转累积，形成霍尔电势。

UH  = KH·I B cosθ

霍尔灵敏度：KH​

​根据理论推导可知，要获得较高的霍尔电压，就要求霍尔元件的材料有较高的电阻率和较高的载流子迁移率。通常，金属材料具有很高的载流子迁移率，但其电阻率很小；而绝缘材料的电阻率极高，但其载流子迁移率极低；显然，只有半导体材料最适合制作霍尔元件。

霍尔元件的应用

右图为零磁通式（磁平衡式，反馈补偿式）霍尔电流传感器。

平衡时N1 I1=​N2 I2 

原边副边电流产生的磁场方向相反，大小相等，磁芯中磁通几乎为零。

这种测量方法不会使磁芯饱和也没有涡流损耗。​

​

负载电流和负载电压，分别与加在霍尔元件的磁感应强度、激励电流成正比，显然负载功率正比于霍尔电压

​其他磁敏器件

​磁敏电阻

​交流放大：交流输入信号经过磁芯上的绕组，引起磁隙中的磁场变化，导致磁敏电阻RM2电阻变化，进而导致A点电压的变化，通过电容C将交流部分耦合到下一级。RM1为了减小磁敏电阻温漂的影响

​磁敏二极管

磁敏晶体管

​其中，两个磁敏三极管组成差分电路，电容反馈可消除噪声和提高稳定性。此电路可检测 0.1 T 左右的微弱磁场。（其中，一个磁敏三极管在待测磁场中，另一个不在。）

​

本文来自互联网用户投稿，文章观点仅代表作者本人，不代表本站立场，不承担相关法律责任。如若转载，请注明出处。 如若内容造成侵权/违法违规/事实不符，请点击【内容举报】进行投诉反馈！