W25Qxx 系列是一种低成本、小型化、使用简单的非易失性存储器，常应用于数据存储、字库存储、固件程序存储等场景 存储介质： Nor Flash （闪存） 时钟频率： 80MHz / 160MHz (Dual SPI) / 320MHz (Quad SPI) 存储容量（ 24 位地址）： W25Q40 ： 4Mbit / 512KByte W25Q80 ： 8Mbit / 1MByte W25Q16 ： 16Mbit / 2MByte W25Q32 ： 32Mbit / 4MByte W25Q64 ： 64Mbit / 8MByte W25Q128 ： 128Mbit / 16MByte W25Q256 ： 256Mbit / 32MByte 二、硬件电路
1、带斜杠的CS（SS）——代表低电平有效 2、WP（Write Protect）——配合内部的寄存器配置，可以实现硬件的写保护（保护时不可写）——低电平有效 3、 HOLD——数据保持——低电平有效
DI、DO、WP、HOLD在引脚定义图中分别各自有括号写了IO0、IO1、IO2、IO3——对应【双重SPI】和【四重SPI】 //如果是【普通SPI】模式，括号不起作用 //如果是【双重SPI】模式，DI和DO将作为IO0和IO1，是数据同时收和同时发的两个数据位 //如果是【四重SPI】模式，四个引脚都将作为新的IO口，都作为数据收发引脚
三、W25Q64框图
划分方式 一整块存储空间划分为若干的块Block 每一个块Block再划分为若干的扇区Sector 每个扇区Sector再划分为若干页Page 右边的矩形代表【所有的存储器】 存储器以字节为单位，每个字节都有唯一的地址（W25Q64）的地址宽度是24位，3个字节，寻址空间为8MB
左下角第一个字节地址为【00 00 00h】，之后的空间地址依次自增，直到最后一个字节地址为【7F FF FFh】
其中以64KB为一个基本单元，将所有的存储器划分成若干的块Block，从前往后（从下往上）依次是块0、块1、块2…… //存储器地址空间为8MB，以64KB为一块进行划分，可以分得128块Block（块序号0~127）
比如：块0的起始地址为【00 00 00】，结束地址为【00 FF FF】 块31的起始地址为【1F 00 00】，结束地址为【1F FF FF】 变化规律：每个块的起始为【XX 00 00】，结束地址为【XX FF FF】——每一块内地址变化范围为低位的2个字节
左边的矩形代表由块Block更细划分的【扇区Sector】 左下角第一个字节地址为【XX 00 00h】，之后的空间地址依次自增，直到最后一个字节地址为【XX FF FFh】
其中以4KB为一个基本单元，将每一块Block划分成若干的扇区Sector，从前往后（从下往上）依次是扇区0、扇区1、扇区2…… //块Block地址空间为64KB，以4KB为一块进行划分，可以分得16块扇区（Sector序号0~15）
变化规律：每个扇区的起始为【XX X0 00】，结束地址为【XX XF FF】——每一块内地址变化范围为12位低位
写入数据时进行更细的划分【页Page】 页的大小为【256字节】——存储器整个空间会划分为很多页
其中以一个扇区Sector=4KB为基本单元，将其划分成若干的扇区Sector //扇区Sector地址空间为4KB，以256字节为一块进行划分，可以分得16页（Page序号0~15）
变化规律：每页的起始为【XX XX 00】，结束地址为【XX XX FF】——每一块内地址变化范围为8位低位 /*************************************************************************************************************/
左下角为【SPI控制逻辑】（地址锁存、数据读写等） 控制逻辑左边为【SPI通信引脚】（DI、DO、CLK、CS、WP、HOLD） 主控芯片通过SPI协议把指令和数据发给【控制逻辑】，控制逻辑就会自动去操作内部电路
体现芯片当前状态（是否处于忙状态、是否写使能、是否写保护）
状态寄存器上边为【写控制逻辑】——和外部WP引脚相连实现硬件写保护 控制逻辑右边为【页地址锁存/计数器】、【字节地址锁存/计数器】——用于指定地址 EX：通过SPI总共发过来3字节的地址，因为一页是256字节，所以一页内的【字节地址】就取决于最低一个字节，高位的两个字节对应【页地址】 //前两个字节会进到【页地址锁存/计数器】，最后一个字节会进到【字节地址锁存/计数器】 1、【页地址】通过【写保护和行解码】来选择操作哪一页 2、【字节地址】通过【列解码和256字节页缓存】来进行指定字节的读写操作 /*************************************************************************************************************/
【页缓存区】是一个256字节的RAM存储器——辅助读写功能 1、写入数据 数据放到缓存区，在时序结束后，芯片再将缓存区的数据复制到对应的Flash中进行永久保存
设立【缓存区】原因：SPI写入频率非常高，而Flash写入较慢 由SPI写入的数据先放在【页缓存区】（RAM存储器，速度非常快），SPI写完后，芯片再把数据从【缓存区】转移到【Flash】
数据从【缓存区】转移到【Flash】里需要一定时间，因此在写入时序结束后芯片会进入【忙状态】 【状态寄存器】的【BUSY】位置1——表示芯片当前正在转移数据，不会响应新的读写时序 需要注意的是：【缓存区】只有256字节，因此写入的一个时序连续写入的数据量不能超过256字节
2、读取数据 读取只看电路的状态就行，速度很快，基本不花时间，所以很少对读取的限制 另外：其中地址锁存带有计数器，所以地址指针在读写之后可以自动+1，进而实现从指定地址开始连续读写多个字节
四、Flash操作注意事项
1、写入操作前，必须先进行写使能
//一个【写使能】只能保证后续的一条写指令执行
//写指令执行后会自动【写使能】，因此 在进行任何写入操作前需要先【写使能】
2、每个数据位只能由 1 改写为 0 ，不能由 0 改写为 1
//RAM可以直接完全覆盖改写——Flash不行
3、写入数据前必须先擦除，擦除后，所有数据位变为 1
//发出擦除指令后芯片也会进入【忙状态】
4、擦除必须按最小擦除单元进行
//不能指定某一个字节擦除，要擦就要一部分（最小擦除单元）一起擦——本芯片中最小擦书单元是【扇区】
因此擦除最少得将一个扇区4096个字节（4KB）一起擦
5、连续写入多字节时，最多写入一页的数据；若写多了，超过页尾位置的数据，会回到页首覆盖写入
//写入时一次性不能写太多，一个写入时序最多只能写【一页】的数据（256字节）
原因：【页缓存区】只有256字节，写太多缓存区存不下
注意：从【页起始位置】开始写才能最大写入256字节
//如果从【页中间地址】开始写，那么写到【页尾】时地址就会跳回【页首】——导致地址错乱
6、写入操作结束后，芯片进入忙状态（芯片将 数据从【缓存区】转移到【Flash】
），不响应新的读写操作
//读取【状态寄存器】的【BUSY】位为0时芯片不忙，再进行操作
直接调用读取时序，无需使能，无需额外操作，没有页的限制，读取操作结束后不会进入忙状态，【但不能在忙状态时读取】
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