CSD17551Q3A

CSD17551Q3A
规格
产品属性
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:VSONP-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:48 A
Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V
Qg-栅极电荷:6 nC
比较小工作温度:- 55 C
比较大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.6 W
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET
封装:Reel
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
商标:Texas Instruments
配置:Single
下降时间:3.4 ns
正向跨导 - 比较小值:101 S
高度:0.9 mm
长度:3.15 mm
产品类型:MOSFET
上升时间:24 ns
系列:CSD17551Q3A
2500
子类别:MOSFETs
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:12 ns
典型接通延迟时间:8 ns
宽度:3 mm
单位重量:27.600 mg

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