18N20-ASEMI中低压N沟道MOS管18N20
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18N20-ASEMI中低压N沟道MOS管18N20
型号：18N20
品牌：ASEMI
封装：ITO-252
最大漏源电流：18A
漏源击穿电压：200V
RDS（ON）Max：0.18Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：中低压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
18N20场效应管
18N20的电性参数：最大漏源电流18A；漏源击穿电压200V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=200V，Id=18A
RDS（开）:0.18Ω （最大值）@VG=10V
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