S3C2440A SDRAM

• 根据原理图

汇总点这

根据原理图

根据原理图看得出，SDRAM的片选信号是nGCS6，在文档直接搜索关键字，发现用的是BANK6， 地址从0x3000_0000开始。

如何写1字节数据进SDRAM呢。首先是因为sdram是32bit的，CPU和sdram数据交换时，只能每次操作32位数据。CPU会把32bit的数据给内存控制器，内存控制器会发出DQM（数据屏蔽信号），把不需要写的数据字节（3个字节）屏蔽掉，只写入有效的数据。

BWSCON 设置宽度和等待状态的寄存器：0x48000000

• [27] ST6：0 = Not using UB/LB (The pins are dedicated nWBE[3:0 )
• [26] WS6：0 = WAIT disable
• [25:24] DW6：10 = 32-bit //32位宽
  BWSCON = 0x200 0000

BANKCON6 BANK6控制寄存器 地址：0x4800001C

• [16:15] MT： 0x11= Sync. DRAM
• [3:2] Trcd：00 = 2 clocks //RAS to CAS delay，读完行再读列的延时时间，根据SDRAM芯片手册，2clk = 2 *（1/100MHZ）=20ns
• [1:0] SCAN：01 = 9-bit //Column address number，根据SDRAM芯片手册
  BANKCON6 = 0x18001

REFRESH：0x48000024 //SDRAM refresh control register

• [23] REFEN：1 = Enable (self or CBR/auto
  refresh)

• [22] TREFMD：0 = CBR/Auto Refresh

• [21:20] Trp：00 = 2 clocks //根据SDRAM芯片手册，2clk = 2 *（1/100MHZ）=20ns

• [19:18] Tsrc：01 = 5 clocks //根据SDRAM芯片手册， Tsrc = Trc - Trp = 7-2（clk）=5（clk）

• [10:0] Refresh Counter：公式2^11 + 1 - 100x7.8 = 1269 = 0x4F5 //根据SDRAM芯片手册，刷新周期64ms/8192 ≈ 7.8ms
  REFRESH = 0x8404F5

  BANKSIZE：0x48000028 //Flexible bank size register

  • [7] BURST_EN：1 = Disable burst operation.
  • [5] SCKE_EN：1 = SDRAM power down mode disable
  • [4] SCLK_EN：1 = SCLK is active only during the access (recommended).
  • [2:0] BK76MAP：001 = 64MB/64MB
    BANKSIZE = 0xb1

MRSRB6：0x4800002C //Mode register set register bank6

• [9] WBL：0: Burst (Fixed)
• [8:7] TM：00: Mode register set (Fixed)
• [6:4] CL：010 = 2 clocks //根据SDRAM芯片手册
• [3] BT：0: Sequential (Fixed)
• [2:0] BL：000: 1 (Fixed) //内存控制器给SDRAM发出地址后，SDRAM需要等待多久才返回数据
  MRSRB6 = 0x20

#define BWSCON 		(*((volatile unsigned int*)(0x48000000)))
#define BANKCON6 	(*((volatile unsigned int*)(0x4800001C)))
#define REFRESH 	(*((volatile unsigned int*)(0x48000024)))
#define BANKSIZE 	(*((volatile unsigned int*)(0x48000028)))
#define MRSRB6 		(*((volatile unsigned int*)(0x4800002C)))void sdram_init()
{/** BWSCON 设置宽度和等待状态的寄存器：0x48000000*- [27] ST6：0 = Not using UB/LB (The pins are dedicated nWBE[3:0 )- [26] WS6：0 = WAIT disable- [25:24] DW6：10 = 32-bit	//32位宽[0x48000000]= 0x200 0000*/BWSCON = 0x2000000;/**BANKCON6	BANK6控制寄存器 地址：0x4800001C** - [16:15] MT： 0x11= Sync. DRAM- [3:2] Trcd：00 = 2 clocks	//RAS to CAS delay，读完行再读列的延时时间，根据SDRAM芯片手册，2clk = 2 *（1/100MHZ）=20ns- [1:0] SCAN：01 = 9-bit //Column address number，根据SDRAM芯片手册* BANKCON6 = 0x18001*/BANKCON6 = 0x18001;/***REFRESH：0x48000024  //SDRAM refresh control register**- [23] REFEN：1 = Enable (self or CBR/autorefresh)- [22] TREFMD：0 = CBR/Auto Refresh - [21:20] Trp：00 = 2 clocks //根据SDRAM芯片手册，2clk = 2 *（1/100MHZ）=20ns- [19:18] Tsrc：01 = 5 clocks //根据SDRAM芯片手册， Tsrc = Trc - Trp = 7-2（clk）=5（clk）- [10:0] Refresh Counter：公式2^11 + 1 - 100x7.8 = 1269 = 0x4F5 //根据SDRAM芯片手册，刷新周期64ms/8192 ≈ 7.8msREFRESH = 0x8404F5*/REFRESH = 0x8404F5;/***BANKSIZE：0x48000028 //Flexible bank size register**- [7] BURST_EN：1 = Disable burst operation.- [5] SCKE_EN：1 = SDRAM power down mode disable- [4] SCLK_EN：1 = SCLK is active only during the access (recommended).- [2:0] BK76MAP：001 = 64MB/64MBBANKSIZE = 0xb1*/BANKSIZE = 0xb1;/***MRSRB6：0x4800002C   //Mode register set register bank6** - [9] WBL：0: Burst (Fixed)- [8:7] TM：00: Mode register set (Fixed)- [6:4] CL：010 = 2 clocks    //根据SDRAM芯片手册- [3] BT：0: Sequential (Fixed)- [2:0] BL：000: 1 (Fixed)    //内存控制器给SDRAM发出地址后，SDRAM需要等待多久才返回数据MRSRB6 = 0x20*/MRSRB6 = 0x20;
}int sdram_test()
{volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char	*)0x30000000; //初始化一个指向sdram基地址的指针p	int i;/* 写些数据进sdram */for (i=0; i<1000; i++)p[i] = 0x55;/* 再读sdram看有没有写进去，能读出来对了就说明sdram启动了 */for (i=0; i<1000; i++)if (p[i] != 0x55)return -1;return 0;
}

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