Mempool 库

内存池是固定大小的对象分配器。 在DPDK中，它由名称唯一标识，并且使用mempool操作来存储空闲对象。 默认的mempool操作是基于ring的。它提供了一些可选的服务，如per-core缓存和对齐帮助，以确保对象被填充， 方便将他们均匀扩展到DRAM或DDR3通道上。

这个库由 Mbuf Library 使用。

1.1. Cookies

在调试模式(CONFIG_RTE_LIBRTE_MEMPOOL_DEBUG is enabled)中，将在块的开头和结尾处添加cookies。 分配的对象包含保护字段，以帮助调试缓冲区溢出。

1.2. Stats

在调试模式(CONFIG_RTE_LIBRTE_MEMPOOL_DEBUG is enabled)中，从池中获取/释放的统计信息存放在mempool结构体中。 统计信息是per-lcore的，避免并发访问统计计数器。

1.3. 内存对齐约束

根据硬件内存配置，可以通过在对象之间添加特定的填充来大大提高性能。 其目的是确保每个对象开始于不同的通道上，并在内存中排列，以便实现所有通道负载均衡。

特别是当进行L3转发或流分类时，报文缓冲对齐尤为重要。此时仅访问报文的前64B，因此可以通过在不同的信道之间扩展对象的起始地址来提升性能。

DIMM上的rank数目是可访问DIMM完整数据位宽的独立DIMM集合的数量。 由于他们共享相同的路径，因此rank不能被同事访问。 DIMM上的DRAM芯片的物理布局无需与rank数目相关。

当运行app时，EAL命令行选项提供了添加内存通道和rank数目的能力。

Note

命令行必须始终指定处理器的内存通道数目。

不同DIMM架构的对齐示例如图所示 Fig. 5.1 及 Fig. 5.2 。

Fig. 5.1 Two Channels and Quad-ranked DIMM Example

在这种情况下，假设吧平稳是64B块就不成立了。

Intel® 5520芯片组有三个通道，因此，在大多数情况下，对象之间不需要填充。(除了大小为n x 3 x 64B的块)

Fig. 5.2 Three Channels and Two Dual-ranked DIMM Example

当创建一个新池时，用户可以指定使用此功能。

1.4. 本地缓存

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