《炬丰科技-半导体工艺》大规模超薄纳米膜的剥离
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：大规模超薄纳米膜的剥离
编号：JFKJ-21-345
作者：炬丰科技
摘要
超薄硅基纳米膜在从分离到组织工程的应用中取得重大进展。这些膜的广泛应用受到它们小的活性面积的阻碍，活性面积通常在平方微米到平方毫米之间。由于耗时的晶圆蚀刻工艺，这些膜通常作为小窗口支撑在硅芯片上。这方法导致相对较低的有源面积，并且由于刚性硅支撑，集成到设备中可能具有挑战性。在本文中，展示了一种剥离方法，其中膜由聚合物支架支撑并与晶片分离，从而能够制造具有 >80% 活性面积的膜片 (>75 cm2)。用 50 nm 厚的微孔和纳米孔氮化硅 (SiN) 膜演示了晶圆级剥离工艺。大规模 SiN 膜的释放是通过湿式和干式完成的
升空技术。干法使用 XeF2 气体蚀刻牺牲硅膜，而湿法蚀刻使
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