ASEMI低压MOS管ASE50N03参数，ASE50N03封装
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ASEMI低压MOS管ASE50N03参数：
型号：ASE50N03
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
漏极电流（ID）：50A
功耗（PD）：60W
储存温度（Tstg）：-55 to 150℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：5.8mΩ
二极管正向电压（VSD）：1.3V
输入电容（Ciss）：2250pF
二极管反向恢复时间（trr）：35nS
ASE50N03封装规格：
封装：TO-252-2L
总长度：10.4mm
本体长度：6.2mm
宽度：6.7mm
高度：2.38mm
脚间距：2.28mm
ASE50N03特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷：Qg=43nC（典型值）。
BVDSS=30V，I D=50A
RDS（开启）：5.8mΩ （最大值）@VG=10V
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